导体退火要遵循三个原则：退火温度、退火时间、装盘量。
所谓导体退火，即往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。
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退火温度：退火温度要高于完全再结晶温度，但低于晶粒过分长大的温度。
退火时间：在保证内外部导体单丝都充分获得完全再结晶的条件下，尽量取时间的下限，以提高生产效率和降低电能消耗. 装盘量：导体装盘量的大小对导体退火后的性能有直接影响，尽量选择装盘量相差不多的退火处理，尽量避免白天退火，装炉量最好一次装满。
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所谓导体退火，即往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。
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